Главная » Статьи » Интегральные микросхемы 1533 серии » Регистры

КР1533ИР15 - SN74LS173А (datasheet) Четырехразрядный регистр D-типа с тремя состояниями выходов
Вернуться в каталог микросхем

Микросхема КР1533ИР15 - Аналог SN74LS173A представляет собой четырехразрядный регистр D-типа с тремя состояниями выходов и со входом сброса.
Высокий уровень напряжения на счетном из входов EZ (или на обоих) переводит выходы микросхемы в высокоимпедансное состояние, при этом, однако, в регистр может осуществляться запись новой информации, сброс или хранение. Для передачи информации на выход необходимо наличие напряжения низкого уровня на обоих входах управления третьим состоянием EZ. Высокий уровень напряжения на входе R устанавливает все триггеры в состояние низкого уровня напряжения, вне зависимости от логического состояния на входах С, G, D. Запись информации со входов D в регистр осуществляется по положительному фронту тактового импульса С при наличии напряжения низкого уровня на обоих входах G1, G2. При высоком уровне напряжения хотя бы на одном из входов G1, G2 регистр хранит предыдущую информацию.


КР1533ИР15 - SN74LS173А (datasheet) Четырехразрядный регистр D-типа с тремя состояниями выходов
КР1533ИР15 - SN74LS173А (datasheet) Четырехразрядный регистр D-типа с тремя состояниями выходов

Статические параметры КР1533ИР15 - SN74ALS173A
Обознач. Наименование параметра не менее не более Ед.Изм. Режим измерения
UOL Выходное напряжение высокого уровня
UCC-2
 
В
UCC=4,5B UIH=2,0B UIL=0,8В ICH=0,4мА IOL=-0,4мA
 
UOH Выходное напряжение низкого уровня   0,4
0,5

 
В
В
UCC=4,5B UIH=2,0B UIL=0,8 В IOL=4мА IDL=8мA
IIH Входной ток высокого уровня   20
мкА
UCC=5,5B UIH=2,7B
IIL Входной ток низкого уровня   1-0,11 мА UCC=5,5B UIL=0,4 В
IO Выходной ток высокого уровня 1-301 1-1121 мА UCC=5,5B UO=2,25 В
UDCI Прямое падение напряжения на антизвонном диоде   1-1,51
В
UCC=4,5B
II=18мА
ICC Ток потребления при низком уровне выходного напряжения   22 мА UCC=5,5B

Динамические параметры КР1533ИР15 - SN74ALS173A
Обознач. Наименование параметра не менее не более Ед.Изм. Режим измерения
tplh Время задержки распространения
сигнала при выключении по входу С
 



22
 

нС
UCC=5,0B±10% RL=0,5 кОм
CL=50 пФ
t=2 нС
tphl Время задержки распространения
сигнала при включении по входу С
по входу R
 


26
30


 
нС UCC=5,0B±10% RL=0,5 кОм
CL=50 пФ
t=2 нС
tpzh
tpzl
Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "выключено”
-    в состояние высокого уровня
-    в состояние низкого уровня
 




20
24
  UCC=5,0B±10% RL=0,5 кОм
CL=50 пФ
t=2 нС
tphz
tplz
Время задержки распространения сигнала при переходе в состояние "выключено"
-    из состояния высокого уровня
-    из состояния низкого уровня
  40
35
  UCC=5,0B±10% RL=0,5 кОм
CL=50 пФ
t=2 нС
Уровень отсчета на выходе 2,1 В,
уровень отсчета на выходе 0,7 В

Предельно допустимые режимы:
— емкость входа не более 5 пф;
— емкость выхода не более 7 пф;
— допускается подключение  к выходам емкости не более 200 пФ, при этом нормы на динамические параметры не регламентируются;
— эксплуатация микросхем в режиме измерения
IO, UCDI не допускается;
— допустимое значение статического потенциала 200 В;
— допускается кратковременное воздействие (в течение не более 5 мс) напряжения питания до 7 В;
— собственные резонансные частоты микросхем до 20 кГц отсутствуют;
— максимальное время фронта нарастания и время фронта спада входного импульса не более 1 мкс по входу С не более 50 нс.

Параметры временной диаграммы работы:

—    длительность импульса положительной полярности по входу С — не менее 20 нс;
—    длительность импульса положительной полярности по входу R — не менее 20 нс;
—    время опережения установки информации по А входам относительно фронта импульса на входе С — не менее 17 нс;
—    время опережения установки информации по G входам относительно фронта импульса на входе С — не менее 17 нс;
—    время опережения установки информации по R (неактивный фронт) входу относительно фронта импульса на входе С — не менее 10 нс;
—    время удержания информации по А входам относительно фронта импульса на входе С — не менее 20 нс;
—    время удержания информации по G входам относительно фронта импульса на входе С — не менее 20 нс;
—    частота следования импульсов по входу С — не более 30 МГц.


Вернуться в каталог микросхем

 
Категория: Регистры | Добавил: novlift (19.02.2014)
Просмотров: 1238 | Рейтинг: 5.0/1
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]