Главная » Статьи » Интегральные микросхемы 1533 серии » Регистры

КР1533ИР9 - SN74ALS165 (datasheet) Восьмиразрядный сдвиговый регистр с параллельной загрузкой ­
Вернуться в каталог микросхем

Микросхема КР1533ИР9 - Аналог SN74ALS165 представляет собой восьмиразрядный сдвиговый регистр с параллельной записью и имеет два режима работы: параллельная загрузка и сдвиг. Параллельная загрузка информации в триггеры осуществляется при наличии на входе выбора SEM0 низкого уровня напряжения, причем загрузка производится асинхронно.
После установки высокого уровня напряжения на входе выбора режима SEM0 по положительному фронту тактового импульса на входе синхросигнала SVN или входе блокировки синхросигнала DESYN происходит сдвиг. При высоком уровне напряжения на одном из входов SYN или DESYN состояние регистра не
изменяется.

КР1533ИР9 - SN74ALS165 (datasheet) Восьмиразрядный сдвиговый регистр с параллельной загрузкой ­

Статические параметры КР1533ИР9 - SN74ALS165
Обознач. Наименование параметра не менее не более Ед.Изм. Режим измерения
UOL Выходное напряжение высокого уровня
UCC-2
 
В
UCC=4,5B UIH=2,0B UIL=0,8В ICH=0,4мА IOL=-0,4мA
 
UOH Выходное напряжение низкого уровня   0,4
0,5

 
В
В
UCC=4,5B UIH=2,0B UIL=0,8 В IOL=4мА IDL=8мA
IIH Входной ток высокого уровня   20
мкА
UCC=5,5B UIH=2,7B
IIL Входной ток низкого уровня   1-0,11 мА UCC=5,5B UIL=0,4 В
IO Выходной ток высокого уровня 1-301 1-1121 мА UCC=5,5B UO=2,25 В
UDCI Прямое падение напряжения на антизвонном диоде   1-1,51
В
UCC=4,5B
II=18мА
ICC Ток потребления при низком уровне выходного напряжения   28
мА
UCC=5,5B

Динамические параметры КР1533ИР9 - SN74ALS165
Обознач. Наименование параметра не менее не более Ед.Изм. Режим измерения
tplh Время задержки распространения
сигнала при выключении - от выв 1 к 7,9
- от выв 2 к 7, 9
- от выв 6 к 7
- от выв 6 к 9
 



30
16
27
21

 

нС
UCC=5,0B±10% RL=0,5 кОм
CL=50 пФ
t=2 нС
tplh Время задержки распространения
сигнала при включении
- от выв 1 к 7,9
- от выв 2 к 7, 9
- от выв 6 к 7
- от выв 6 к 9
 


22
16
18
19


 
нС UCC=5,0B±10% RL=0,5 кОм
CL=50 пФ
t=2 нС

Предельно допустимые режимы:
— емкость входа не более 5 пф;
— емкость выхода не более 7 пф;
— допускается подключение  к выходам емкости не более 600 пФ, при этом нормы на динамические параметры не регламентируются;
— эксплуатация микросхем в режиме измерения
IO, UCDI не допускается;
— допустимое значение статического потенциала 200 В;
— допускается кратковременное воздействие (в течение не более 5 мс) напряжения питания до 7 В;
— собственные резонансные частоты микросхем до 20 кГц отсутствуют;
— максимальное время фронта нарастания и время фронта спада входного импульса не более 1 мкс, по тактовым входам 02, 15 не не более 50 нс.

Параметры временной диаграммы работы:

—    длительность импульса по тактовому входу 02 — не менее 18 нс;
—    длительность импульса по входу выбора режима 01 — не менее 18 нс;
—    время опережения установки фронта спада импульса по входу 15 относительно фронта нарастания тактового импульса по входу 02 — не менее 20 не;
—    время опережения фронта нарастании и фронта спада по входам 03—06,
11—14 относительно фронта нарастания по входу 01 — не менее 14 нс;
—    время опережения фронта нарастания импульса по входу 10 относительно фронта нарастания тактового импульса по входу 02 — не менее 18 нс;
—    время опережения фронта нарастания импульса по входу 01 относительно фронта нарастания тактового импульса по входу 02 — не менее 16 нс;
—    время удержания на каждом выводе — не менее 4 нс, максимальная частота, подаваемая на тактовый вход 02, — не более 35 МГц.


Вернуться в каталог микросхем

 
Категория: Регистры | Добавил: novlift (19.02.2014)
Просмотров: 3856 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]